BFG10 |
RFQ for BFG10 |
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| Technical/Catalog Information | BFG10W/X,115 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Frequency - Transition | 1.9GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Gain | - |
| Power - Max | 400mW |
| Compression Point (P1dB) | - |
| Package / Case | SOT-343N |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Drawing Number | 568; SOT343N; ; 4 |
| Mounting Type | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BFG10W X,115 BFG10WX,115 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BFG10 | - | SOT-143 | 05+ |
NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
Typical Application |
Features |
| · Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz. | · High power gain· High efficiency· Small size discrete power amplifier· 1.9 GHz operating area· Gold metallization ensures excellent reliability. |
| SYMBOL | PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN. |
MAX. |
UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCBO | collector-base voltage |
open emitter |
- |
20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCEO | collector-emitter voltage |
open base |
- |
8 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEBO | emitter-base voltage |
open collector |
- |
2.5 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC | collector current (DC) |
- |
250 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC(AV) | average collector current |
- |
250 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ptot | total power dissipation |
up to Ts = 60 °C; see Fig.2; note 1 |
- |
400 |
mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tstg | storage temperature |
-65 |
+150 |
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